中微公司官宣！刻蝕速度已可以精準(zhǔn)到0.1到0.2納米刻蝕設(shè)備全球出貨超5000臺(tái)

2025/3/13 19:12:12 挖貝網(wǎng) 周路遙

日前，中微公司官宣了其在市場(chǎng)、技術(shù)等領(lǐng)域的最新進(jìn)展！

市場(chǎng)方面，中微公司表示，公司等離子體刻蝕設(shè)備反應(yīng)總臺(tái)數(shù)全球累計(jì)出貨超過(guò)5000臺(tái)。這包括CCP高能等離子體刻蝕機(jī)和ICP低能等離子體刻蝕機(jī)、單反應(yīng)臺(tái)反應(yīng)器和雙反應(yīng)臺(tái)反應(yīng)器共四種構(gòu)型的設(shè)備。

技術(shù)方面，中微公司強(qiáng)調(diào)，公司CCP和ICP的雙臺(tái)機(jī)，刻蝕速度已可以精準(zhǔn)到0.1到0.2納米水平，相當(dāng)于頭發(fā)絲直徑約三十萬(wàn)分之一。要知道，一個(gè)硅原子的半徑約為0.11納米。

以下是詳細(xì)情況：

市場(chǎng)占有率：累計(jì)已銷售超5400個(gè)反應(yīng)臺(tái)

據(jù)了解，刻蝕機(jī)主要有兩種，分別是CCP高能等離子體刻蝕機(jī)和ICP低能等離子體刻蝕機(jī)。目前，無(wú)論是CCP設(shè)備還是ICP設(shè)備，中微公司的市場(chǎng)份額都在快速增長(zhǎng)。

中微公司表示，公司的CCP高能等離子刻蝕設(shè)備和ICP低能等離子體刻蝕設(shè)備的出貨量近年來(lái)都保持高速增長(zhǎng)。CCP設(shè)備在線累計(jì)裝機(jī)量近四年年均增長(zhǎng)大于37%，已突破4000個(gè)反應(yīng)臺(tái)；ICP設(shè)備在線累計(jì)裝機(jī)量近四年年均增長(zhǎng)大于100%，已突破1000個(gè)反應(yīng)臺(tái)。

截至2025年2月底，中微公司累計(jì)已有超過(guò)5400個(gè)反應(yīng)臺(tái)在國(guó)內(nèi)外130多條生產(chǎn)線，全面實(shí)現(xiàn)了量產(chǎn)和大規(guī)模重復(fù)性銷售，贏得了眾多客戶和供應(yīng)廠商的信任和支持。

技術(shù)水平：刻蝕速度已可以精準(zhǔn)到0.1到0.2納米

中微公司表示，公司的刻蝕設(shè)備在過(guò)去的20年積累了大量的芯片生產(chǎn)線量產(chǎn)數(shù)據(jù)和客戶驗(yàn)證數(shù)據(jù)，已經(jīng)可以覆蓋絕大多數(shù)的刻蝕應(yīng)用，包括各種高端的應(yīng)用。特別是CCP和ICP的雙臺(tái)機(jī)，反復(fù)論證了雙反應(yīng)臺(tái)之間刻蝕的線寬差別，１Sigma已達(dá)到０.５納米以下，刻蝕速度已可以精準(zhǔn)到0.1到0.2納米水平，相當(dāng)于頭發(fā)絲直徑約三十萬(wàn)分之一。

中微公司還強(qiáng)調(diào)，公司的刻蝕機(jī)已在5納米及更先進(jìn)的微觀器件生產(chǎn)線上大量應(yīng)用。

資料顯示，一個(gè)硅原子的半徑約為110pm（pm，長(zhǎng)度單位，1pm等于0.001納米），即0.11納米。以精準(zhǔn)到0.1到0.2納米水平，意味著中微公司的設(shè)備已經(jīng)能實(shí)現(xiàn)原子級(jí)的操作。

研發(fā)速度翻倍：只需兩年或更短時(shí)間就能開發(fā)出新設(shè)備

中微公司強(qiáng)調(diào)，公司研發(fā)新產(chǎn)品的速度顯著加快，過(guò)去通常需要三到五年開發(fā)一款新設(shè)備，現(xiàn)在只需兩年或更短時(shí)間就能開發(fā)出有競(jìng)爭(zhēng)力的新設(shè)備，并順利進(jìn)入市場(chǎng)。

具體來(lái)看，近年來(lái)中微公司為先進(jìn)存儲(chǔ)器件和邏輯器件開發(fā)的六種LPCVD薄膜設(shè)備已經(jīng)順利進(jìn)入市場(chǎng)。其中，在進(jìn)入市場(chǎng)后只一年，存儲(chǔ)器生產(chǎn)線所用的LPCVD設(shè)備出貨量已突破100多個(gè)反應(yīng)臺(tái)，2024年得到約4.76億元批量訂單。

中微公司刻蝕設(shè)備

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