雖然在市值方面，北方華創(chuàng)（002371.SZ）僅排在半導(dǎo)體行業(yè)第四，但公司的2024年的歸母凈利潤(rùn)卻位列半導(dǎo)體行業(yè)第一，等于市值排名行業(yè)第一和第二的中芯國(guó)際與海光信息之和。

2025年4月25日，北方華創(chuàng)發(fā)布了2024年年報(bào)和2025年第一季度季報(bào)。去年公司營(yíng)業(yè)收入為298.38億元，同比增長(zhǎng)35.14%；歸母凈利潤(rùn)為56.21億元，同比增長(zhǎng)44.17%，無(wú)論營(yíng)收還是利潤(rùn)，都創(chuàng)下了公司上市來(lái)的最高值。

并且，從增長(zhǎng)性的角度來(lái)看，這是公司連續(xù)第5年?duì)I收增長(zhǎng)率超過(guò)30%（2020年至2024年），連續(xù)第10年超過(guò)歸母凈利潤(rùn)增長(zhǎng)率超過(guò)30%（2015年至2024年）。

2025年第一季度，在去年高增長(zhǎng)的基礎(chǔ)上，北方華創(chuàng)再次展現(xiàn)了強(qiáng)大的爆發(fā)力，實(shí)現(xiàn)營(yíng)收82.06億元，同比增長(zhǎng)37.90%，實(shí)現(xiàn)歸母凈利潤(rùn)15.81億元，同比增長(zhǎng)38.80%。

市值排名前十的半導(dǎo)體公司

值得一提的是，北方華創(chuàng)的利潤(rùn)表現(xiàn)，放到整個(gè)半導(dǎo)體行業(yè)也是數(shù)一數(shù)二的存在。據(jù)芯辰大海統(tǒng)計(jì)，在全行業(yè)165家上市公司（中信證券行業(yè)分類(lèi)）中，北方華創(chuàng)56.21億元的歸母凈利潤(rùn)可以排到全行業(yè)第一。約等于市值排名行業(yè)第一的中芯國(guó)際（去年歸母凈利潤(rùn)36.99億元）和市值排名第二（去年歸母凈利潤(rùn)19.31億元）的之和。

以下是北方華創(chuàng)在經(jīng)營(yíng)方面取得的具體成績(jī)：

刻蝕設(shè)備收入超82億元，高出中微公司約8億元

眾所周知，北方華創(chuàng)和中微公司是我國(guó)刻蝕領(lǐng)域的雙雄，二者可謂各有千秋。在技術(shù)上，中微公司的刻蝕機(jī)已經(jīng)廣泛用于從65納米到5納米及更先進(jìn)工藝的眾多刻蝕應(yīng)用中（北方華創(chuàng)并沒(méi)有在年報(bào)中披露公司刻蝕機(jī)的技術(shù)水準(zhǔn)）。但從收入上來(lái)看，北方華創(chuàng)卻是穩(wěn)壓中微公司一頭的。

北方華創(chuàng)2024年年報(bào)顯示，公司在刻蝕設(shè)備領(lǐng)域，已形成了ICP、CCP、Bevel刻蝕設(shè)備、高選擇性刻蝕設(shè)備和干法去膠設(shè)備的全系列產(chǎn)品布局。2024年公司刻蝕設(shè)備收入超80億元。中微公司財(cái)報(bào)顯示，2024年公司刻蝕設(shè)備收入約72.77億元。

薄膜沉積設(shè)備收入首超100億元

北方華創(chuàng)財(cái)報(bào)顯示，公司在薄膜沉積設(shè)備領(lǐng)域，已形成了物理氣相沉積（PVD）、化學(xué)氣相沉積（CVD）、原子層沉積（ALD）、 外延（EPI）和電鍍（ECP）設(shè)備的全系列布局。2024年公司薄膜沉積設(shè)備收入超100億元。這是北方華創(chuàng)薄膜設(shè)備收入首次超過(guò)100億元（2023年為超過(guò)60億元）。

據(jù)了解，薄膜沉積設(shè)備作為半導(dǎo)體制造的核心裝備，通過(guò)物理氣相沉積（PVD）、化學(xué)氣相沉積（CVD）、外延生長(zhǎng) （EPI）、電化學(xué)沉積（ECP）及原子層沉積（ALD）等技術(shù)，在基底表面精準(zhǔn)構(gòu)筑納米級(jí)功能膜層，這些膜層在芯片中 扮演重要的角色。根據(jù)權(quán)威機(jī)構(gòu)數(shù)據(jù)，2023年薄膜沉積設(shè)備在集成電路設(shè)備資本支出中的占比為22.1%。

正式進(jìn)軍離子注入設(shè)備市場(chǎng)

2025年3月，北方華創(chuàng)正式宣布進(jìn)軍離子注入設(shè)備市場(chǎng)，已發(fā)布的離子注入設(shè)備主要有2種，分別是12英寸浸沒(méi)式離子注入設(shè)備和12英寸離子注入設(shè)備。

其中，12英寸浸沒(méi)式離子注入設(shè)備主要用于硅晶圓器件的高劑量、低能量的離子注入摻雜工藝，面向存儲(chǔ)和邏輯 領(lǐng)域的互補(bǔ)金屬氧化物半導(dǎo)體器件的摻雜(CMOSDeviceDoping)、加氫鈍化 （H-Passivation）、超淺結(jié)摻雜（UltraShallowJunctionDoping）、SOI （Silicon-on-Insulator）等工藝應(yīng)用需求

12英寸離 子注入設(shè)備主要用于12英寸邏輯、存儲(chǔ)芯片B、P、As等元素的注入。該設(shè)備可精準(zhǔn)控制 注入角度，注入劑量，從而獨(dú)立控制摻雜濃度和節(jié)深，調(diào)控晶體管電性能。