2月10日，蘇州東微半導(dǎo)體股份有限公司（股票簡稱：東微半導(dǎo)；股票代碼：688261）將正式登陸上交所科創(chuàng)板。公開資料顯示，東微半導(dǎo)是一家以高性能功率器件研發(fā)與銷售為主的技術(shù)驅(qū)動(dòng)型半導(dǎo)體企業(yè)，其產(chǎn)品專注于工業(yè)及汽車相關(guān)等中大功率應(yīng)用領(lǐng)域。公司憑借優(yōu)秀的半導(dǎo)體器件與工藝創(chuàng)新能力，集中優(yōu)勢資源聚焦新型功率器件的開發(fā)，是國內(nèi)少數(shù)具備從專利到量產(chǎn)完整經(jīng)驗(yàn)的高性能功率器件設(shè)計(jì)公司之一，并在應(yīng)用于工業(yè)級領(lǐng)域的高壓超級結(jié)、中低壓SGT功率器件、IGBT芯片領(lǐng)域?qū)崿F(xiàn)了國產(chǎn)化替代。東微半導(dǎo)依托對器件結(jié)構(gòu)和工藝的創(chuàng)新凸顯產(chǎn)品的領(lǐng)先性，在國內(nèi)眾多功率半導(dǎo)體廠商中獨(dú)樹一幟。

專注工業(yè)及汽車市場，人均產(chǎn)值超千萬元

近年來，碳中和、碳達(dá)峰、新能源汽車、5G和云計(jì)算等新技術(shù)應(yīng)用需求迎來了爆發(fā)性增長，而功率半導(dǎo)體是在上述應(yīng)用中實(shí)現(xiàn)電能轉(zhuǎn)換的核心基礎(chǔ)元器件。公開信息顯示，東微半導(dǎo)的業(yè)務(wù)大多來自于工業(yè)級和汽車相關(guān)應(yīng)用。業(yè)內(nèi)周知，相對于消費(fèi)電子市場，工業(yè)及汽車市場對芯片的性能和品質(zhì)要求更高，存在著較高的技術(shù)壁壘。在功率器件領(lǐng)域，應(yīng)用于新能源汽車的芯片基本被進(jìn)口芯片品牌壟斷，僅極少數(shù)國內(nèi)芯片供應(yīng)商能夠進(jìn)入上述領(lǐng)域，而東微半導(dǎo)便是其中的佼佼者。經(jīng)過多年驗(yàn)證，2021年公司產(chǎn)品開始批量進(jìn)入比亞迪新能源車，成功進(jìn)軍車載芯片市場。

招股書披露，東微半導(dǎo)預(yù)計(jì)2021年度營業(yè)收入為7.72億元至8.03億元，同比增長150%至160%；預(yù)計(jì)2021年度歸屬于母公司所有者的凈利潤為1.32億元至1.53億元，同比增長377%至453%；預(yù)計(jì)2021年度扣非后的凈利潤為1.27億元至1.47億元，同比增長522%至620%。2021年公司業(yè)績暴增的主要原因是受益新能源汽車充電樁、通信電源以及光伏逆變器的需求暴增。

招股書顯示，截至2021年6月30日東微半導(dǎo)的研發(fā)人員占比46%，按其員工數(shù)推算，預(yù)計(jì)人均產(chǎn)值超過1000萬元，約是國內(nèi)芯片設(shè)計(jì)行業(yè)人均產(chǎn)值的5倍，屬于典型的技術(shù)密集型芯片設(shè)計(jì)高科技公司。

打造技術(shù)領(lǐng)先優(yōu)勢  產(chǎn)品獲得高度認(rèn)可

作為國內(nèi)領(lǐng)先的高性能功率器件廠商，東微半導(dǎo)自成立以來，就對半導(dǎo)體功率器件核心技術(shù)的發(fā)展持續(xù)跟蹤并深入調(diào)研，進(jìn)行持續(xù)的研發(fā)創(chuàng)新，確保公司的產(chǎn)品迭代能夠緊跟行業(yè)發(fā)展趨勢，亦滿足客戶終端產(chǎn)品的創(chuàng)新需求。這為公司業(yè)務(wù)開展及未來新業(yè)務(wù)的拓展打下了堅(jiān)實(shí)的基礎(chǔ)。

高壓超級結(jié)MOSFET是東微半導(dǎo)的王牌產(chǎn)品，也是其功率分立器件領(lǐng)域中占比最大的產(chǎn)品，高壓超級結(jié)MOSFET器件具有高頻、易驅(qū)動(dòng)、功率密度高等特點(diǎn)，應(yīng)用領(lǐng)域非常廣泛，涵蓋通信、汽車電子、工業(yè)控制、光伏、儲能、智能電網(wǎng)、消費(fèi)電子等領(lǐng)域。東微半導(dǎo)自成立以來積極投入對高壓超級結(jié)MOSFET產(chǎn)品的研發(fā)，并得到了華為、比亞迪、特銳德、通用電氣、視源股份、英飛源、英可瑞、高斯寶、金升陽、雷能、美的、創(chuàng)維、康佳等全球知名客戶的認(rèn)可，取得良好的市場口碑。

2016年4月14日，人民日報(bào)刊登了東微半導(dǎo)的高壓超級結(jié)MOSFET在充電樁用高壓高速核心半導(dǎo)體器件領(lǐng)域首次實(shí)現(xiàn)國產(chǎn)化的報(bào)道，確定了東微半導(dǎo)在充電樁功率器件領(lǐng)域“國產(chǎn)第一芯”的地位。

招股書顯示，東微半導(dǎo)最先進(jìn)的高壓超級結(jié)產(chǎn)品OSG65R017HT3F的導(dǎo)通電阻為14mohm，與國際領(lǐng)先品牌英飛凌最小的導(dǎo)通電阻15mohm處于相似水平，而公司產(chǎn)品的650V耐壓要高于英飛凌的600V耐壓，綜合性能優(yōu)勢明顯。對于MOSFET而言，導(dǎo)通電阻是一個(gè)重要的性能參數(shù)，該數(shù)值越小，MOSFET工作時(shí)的功率損耗越小，也越能體現(xiàn)公司的技術(shù)創(chuàng)新能力。

值得一提的是，東微半導(dǎo)于2016年提出的超級硅系列產(chǎn)品性能更為突出，OSS60R190FF型號的優(yōu)值（FOM）為2.53Ω·nC，優(yōu)于全部國際品牌在相同平臺下臨近規(guī)格的優(yōu)值，包括英飛凌最新一代產(chǎn)品IPDD60R190G7。

此外，東微半導(dǎo)還開發(fā)出原創(chuàng)Tri-gate IGBT，實(shí)現(xiàn)批量出貨。招股書指出，東微半導(dǎo)的IGBT產(chǎn)品通過優(yōu)化器件內(nèi)部的載流子分布，提高了電流密度，在不提高飽和壓降Vce,sat的情況下實(shí)現(xiàn)了較低的關(guān)閉損耗Eoff。比如，公司的低飽和壓降系列650V75A芯片OST75N65HSZF，可以在Eoff相對于OST75N65HZF基本不變的情況下（0.9mJ），將飽和壓降Vce,sat典型值降低到了1.50V，性能處于國際領(lǐng)先水平。由于采用創(chuàng)新器件結(jié)構(gòu)，東微半導(dǎo)的IGBT的電流密度大幅提高，其芯片面積進(jìn)一步縮小，突破了傳統(tǒng)IGBT的電流密度水平，直接消除了多年以來國產(chǎn)IGBT與進(jìn)口IGBT芯片之間的技術(shù)代差。目前，Tri-gate IGBT（TGBT）產(chǎn)品已在光伏逆變、儲能、充電樁模塊、電機(jī)驅(qū)動(dòng)等領(lǐng)域批量出貨。

招股書顯示，此次東微半導(dǎo)登陸科創(chuàng)板募集資金主要是投向超級結(jié)與屏蔽柵功率器件產(chǎn)品升級及產(chǎn)業(yè)化項(xiàng)目、新結(jié)構(gòu)功率器件研發(fā)及產(chǎn)業(yè)化項(xiàng)目、研發(fā)工程中心建設(shè)項(xiàng)目、科技與發(fā)展儲備資金等。隨著募投項(xiàng)目的實(shí)施，公司將進(jìn)一步提升超級結(jié)、IGBT芯片等功率芯片的性能，并且開拓第三代半導(dǎo)體功率器件市場。