長晶科技深入功率半導(dǎo)體研發(fā)制造，推動相關(guān)產(chǎn)品發(fā)展

2025/3/26 13:23:41

在全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的風(fēng)云變幻中，中國半導(dǎo)體企業(yè)正在積極尋求技術(shù)突破與產(chǎn)業(yè)升級，力圖在國際市場上占據(jù)一席之地。江蘇長晶科技股份有限公司（以下簡稱“長晶科技”）作為中國半導(dǎo)體功率器件領(lǐng)域的佼佼者，憑借其卓越的自主創(chuàng)新能力，正加速推動中國半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的發(fā)展。

長晶科技自成立之初，就將技術(shù)創(chuàng)新視為企業(yè)發(fā)展的生命線。公司持續(xù)加大研發(fā)投入，引進(jìn)和培養(yǎng)高素質(zhì)的研發(fā)人才，組建了一支實(shí)力雄厚的研發(fā)團(tuán)隊。截至2024年底，長晶科技已擁有220件授權(quán)專利（其中發(fā)明專利75件）和97件集成電路布圖設(shè)計專有權(quán)，合計知識產(chǎn)權(quán)數(shù)量約365件。這些知識產(chǎn)權(quán)不僅展示了公司在技術(shù)創(chuàng)新方面的雄厚實(shí)力，也為其產(chǎn)品的市場競爭力提供了堅實(shí)保障。

在當(dāng)前全球科技快速發(fā)展的背景下，半導(dǎo)體行業(yè)成為推動技術(shù)革新與產(chǎn)業(yè)變革的關(guān)鍵領(lǐng)域。長晶科技作為一家新興企業(yè)，在中國乃至全球的功率半導(dǎo)體市場中展現(xiàn)出顯著的競爭力和創(chuàng)新能力。自2018年成立以來，長晶科技專注于半導(dǎo)體技術(shù)研發(fā)與產(chǎn)品創(chuàng)新，其主要產(chǎn)品線涵蓋分立器件及電源管理集成電路（IC），并根據(jù)市場需求不斷擴(kuò)展其種類。公司的核心業(yè)務(wù)可以分為成品和晶圓兩大類，覆蓋從傳統(tǒng)二極管、三極管到多種結(jié)構(gòu)的MOSFET、電源管理IC等多種類型。

瞄準(zhǔn)前沿科技，推動產(chǎn)業(yè)創(chuàng)新，極具爆發(fā)力的長晶科技還在不斷開拓更多應(yīng)用場景的“硬核”產(chǎn)品。近幾年，隨著電動汽車和新能源應(yīng)用領(lǐng)域的快速發(fā)展，有著“工業(yè)CPU”之稱的IGBT（絕緣柵雙極型晶體管）器件和模塊也迎來了爆發(fā)。作為整個功率器件市場里較大的細(xì)分品類，IGBT技術(shù)門檻較高，是長晶科技中長期規(guī)劃的重要產(chǎn)品之一。通過不斷改良工藝平臺，長晶科技研發(fā)并推出了FST3.0 IGBT產(chǎn)品，該產(chǎn)品采用了先進(jìn)的微溝槽柵（1.6μm Pitch）+場終止技術(shù)，極大地提高了載流子密度，降低了通態(tài)損耗和開關(guān)損耗。同時，F(xiàn)ST3.0 IGBT還具備出色的溫度穩(wěn)定性和功率密度，能夠在各種惡劣環(huán)境下保持穩(wěn)定的性能輸出。這些技術(shù)創(chuàng)新不僅提升了產(chǎn)品的整體性能，也進(jìn)一步鞏固了長晶科技在IGBT領(lǐng)域的領(lǐng)先地位。

CSP MOSFET

另外，因?yàn)镸OSFET功率器件因其高效、低損耗的特點(diǎn)，在電機(jī)控制、電池管理系統(tǒng)等關(guān)鍵領(lǐng)域發(fā)揮著不可替代的作用。在這個領(lǐng)域，長晶科技憑借其卓越的技術(shù)實(shí)力和創(chuàng)新能力，取得了重大突破，推出了CSP MOSFET，為智能移動等設(shè)備的發(fā)展注入了新的活力。

也正是憑借這種對技術(shù)創(chuàng)新的持續(xù)追求，2022年，長晶科技成功獲評國家級專精特新“小巨人”企業(yè)，由企業(yè)主導(dǎo)的“低功耗高可靠超結(jié)MOS器件關(guān)鍵技術(shù)研究”項(xiàng)目成功入選江蘇省重點(diǎn)研發(fā)計劃。

長晶科技的成功并非偶然，而是其長期堅持技術(shù)創(chuàng)新和質(zhì)量優(yōu)先戰(zhàn)略的結(jié)果。未來，隨著技術(shù)的不斷進(jìn)步和市場的不斷發(fā)展，長晶科技將繼續(xù)引領(lǐng)功率半導(dǎo)體行業(yè)的發(fā)展趨勢，為中國半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的進(jìn)步貢獻(xiàn)更多的力量。

長晶科技

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